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Kingston 9905678-012.A00G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
比较
Kingston 9905678-012.A00G 8GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
总分
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
总分
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
35
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
31
读取速度,GB/s
14.2
15.7
写入速度,GB/s
8.7
9.5
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2457
2713
Kingston 9905678-012.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
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Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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