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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Inmos + 256MB
比较
Kingston 9965516-430.A00G 16GB vs Inmos + 256MB
总分
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
总分
Inmos + 256MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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需要考虑的原因
Inmos + 256MB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.5
7.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
16800
12800
左右 1.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Inmos + 256MB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
7.9
11.5
写入速度,GB/s
7.0
9.1
内存带宽,mbps
12800
16800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
1798
2318
Kingston 9965516-430.A00G 16GB RAM的比较
Team Group Inc. 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Inmos + 256MB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
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