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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
差异
规格
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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需要考虑的原因
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
13.2
16.2
写入速度,GB/s
8.6
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2909
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
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