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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
13.2
18.5
写入速度,GB/s
8.6
14.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3475
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
INTENSO M418039 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
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