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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.2
17.4
写入速度,GB/s
8.6
13.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3413
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
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