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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
13.2
14.7
写入速度,GB/s
8.6
7.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2169
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
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