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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
13.2
14.7
写入速度,GB/s
8.6
8.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2498
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
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