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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston 9965698-001.A00G 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
54
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.3
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
32
读取速度,GB/s
9.2
10.3
写入速度,GB/s
8.1
8.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2298
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
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