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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
51
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
51
读取速度,GB/s
13.2
10.9
写入速度,GB/s
8.6
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2286
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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