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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
总分
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
总分
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
6.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
37
读取速度,GB/s
9.8
16.0
写入速度,GB/s
6.4
12.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1927
2808
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
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