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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905471-085.A00LF 8GB
比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Kingston 9905471-085.A00LF 8GB
总分
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
总分
Kingston 9905471-085.A00LF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
30
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
6.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905471-085.A00LF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
30
29
读取速度,GB/s
9.8
12.5
写入速度,GB/s
6.4
8.5
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1927
2260
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
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