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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB

总分
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

总分
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 9965662-016.A00G 16GB 需要考虑的原因
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 39
    左右 -26% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    20.3 left arrow 7.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    18.2 left arrow 7.8
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    39 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    7.9 left arrow 20.3
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 18.2
  • 内存带宽，mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1939 left arrow 3738

Kingston 9965662-016.A00G 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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最新比较

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Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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内存RAM
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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AMD R748G2606U2S 8GB
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内存RAM
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
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