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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
总分
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
9.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
15.7
13.1
写入速度,GB/s
9.8
9.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2388
2243
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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