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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
比较
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
总分
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
总分
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
82
左右 49% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
82
读取速度,GB/s
12.2
12.3
写入速度,GB/s
7.2
11.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2063
1930
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
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