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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
比较
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
总分
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
42
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
31
读取速度,GB/s
12.2
16.4
写入速度,GB/s
7.2
10.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2063
3039
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
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