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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
AMD R7S44G2606U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R7S44G2606U1S 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
75
左右 -275% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
20
读取速度,GB/s
3,986.4
18.9
写入速度,GB/s
2,036.1
14.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
2707
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
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