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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
75
左右 -150% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
30
读取速度,GB/s
3,986.4
17.0
写入速度,GB/s
2,036.1
12.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
3142
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较
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Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB RAM的比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
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