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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
75
左右 -108% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
36
读取速度,GB/s
3,986.4
13.4
写入速度,GB/s
2,036.1
11.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
2467
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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