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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Kingston 9905665-023.A00G 4GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
75
左右 -188% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.7
2,036.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
26
读取速度,GB/s
3,986.4
14.2
写入速度,GB/s
2,036.1
7.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
1813
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较
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Kingston 9905665-023.A00G 4GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
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