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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
75
左右 -168% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
28
读取速度,GB/s
3,986.4
16.6
写入速度,GB/s
2,036.1
13.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
3007
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
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Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
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