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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
37
读取速度,GB/s
13.8
14.0
写入速度,GB/s
8.4
9.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2327
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
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