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Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
比较
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB vs Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
总分
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
总分
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
27
读取速度,GB/s
13.0
14.3
写入速度,GB/s
7.1
9.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2132
2979
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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