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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比较
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
总分
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
54
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
54
读取速度,GB/s
12.6
10.4
写入速度,GB/s
6.8
8.2
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1954
2259
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
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