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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
比较
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
总分
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
37
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
22
读取速度,GB/s
13.7
17.5
写入速度,GB/s
7.8
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2102
2748
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
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