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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.1
17.5
写入速度,GB/s
7.7
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
2807
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
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