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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
比较
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
总分
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
总分
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
13.2
15.9
写入速度,GB/s
7.3
10.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1489
2240
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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