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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
50
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.5
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
39
读取速度,GB/s
10.6
11.5
写入速度,GB/s
7.8
9.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1899
1881
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
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