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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
11.9
17.7
写入速度,GB/s
8.5
14.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
3482
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
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