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Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
比较
Kingston KF552C40-16 16GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
总分
Kingston KF552C40-16 16GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
差异
规格
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Kingston KF552C40-16 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
13.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
27
读取速度,GB/s
15.5
18.2
写入速度,GB/s
13.2
14.9
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3343
3510
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
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