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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
比较
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
总分
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
差异
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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
29
读取速度,GB/s
14.4
16.8
写入速度,GB/s
9.8
12.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2600
3143
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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