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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
比较
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
总分
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
总分
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
15.5
15.3
写入速度,GB/s
10.1
11.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2595
2648
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
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