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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

总分
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

总分
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Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB 需要考虑的原因
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 60
    左右 -131% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.5 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.9 left arrow 5.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 14900
    左右 1.14 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 14.5
  • 写入速度，GB/s
    5.4 left arrow 9.9
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1411 left arrow 2544

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较

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内存RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
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内存RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
内存RAM
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
内存RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
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内存RAM
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
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Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
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内存RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
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内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
内存RAM
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
内存RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
内存RAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
内存RAM