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Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
比较
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
总分
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
11.0
17.3
写入速度,GB/s
8.0
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1581
2762
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB RAM的比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
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Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
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