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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
39
读取速度,GB/s
18.2
14.8
写入速度,GB/s
14.9
10.4
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
2571
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
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