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Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
比较
Kingston KP223C-ELD 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
总分
Kingston KP223C-ELD 2GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KP223C-ELD 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
74
左右 64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
74
读取速度,GB/s
13.4
15.4
写入速度,GB/s
8.8
8.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2137
1714
Kingston KP223C-ELD 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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