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Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
比较
Kingston KP223C-ELD 2GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
总分
Kingston KP223C-ELD 2GB
总分
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KP223C-ELD 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.4
13.7
写入速度,GB/s
8.8
6.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2137
2312
Kingston KP223C-ELD 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
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