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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
33
读取速度,GB/s
13.9
14.5
写入速度,GB/s
9.5
12.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2839
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
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