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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
差异
规格
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
26
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
24
读取速度,GB/s
13.9
16.6
写入速度,GB/s
9.5
12.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2969
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
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