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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
50
左右 -9% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
46
读取速度,GB/s
5,143.3
15.9
写入速度,GB/s
1,905.1
12.8
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2936
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
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