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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
5300
左右 4.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,168.0
16.3
写入速度,GB/s
1,855.7
12.2
内存带宽,mbps
5300
23400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
2761
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM的比较
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Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
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