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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
AMD R748G2606U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
61
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
AMD R748G2606U2S 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
61
读取速度,GB/s
17.8
15.0
写入速度,GB/s
12.5
8.9
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
2028
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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