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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston 9905678-024.A00G 4GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
10.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
17.8
15.7
写入速度,GB/s
12.5
10.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
2365
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
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