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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
54
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.5
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
8500
左右 2.75 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
54
读取速度,GB/s
10.5
10.4
写入速度,GB/s
7.1
8.2
内存带宽,mbps
8500
23400
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
2259
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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