RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
总分
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
14.4
14.8
写入速度,GB/s
9.0
6.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2422
2014
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB RAM的比较
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link