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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston 9965589-035.D00G 16GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.9
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
12.9
10.0
写入速度,GB/s
9.0
6.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
1878
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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