Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB

总分
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

总分
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    28 left arrow 46
    左右 39% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    12.9 left arrow 12.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.0 left arrow 8.1
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    28 left arrow 46
  • 读取速度,GB/s
    12.9 left arrow 12.4
  • 写入速度,GB/s
    9.0 left arrow 8.1
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2112 left arrow 2103
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RAM 1
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最新比较