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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
12.9
16.2
写入速度,GB/s
9.0
12.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3116
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
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