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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
比较
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
总分
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
15.4
17.0
写入速度,GB/s
11.3
12.5
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2696
3282
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
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