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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
58
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
29
读取速度,GB/s
4,025.3
16.7
写入速度,GB/s
2,107.0
14.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3324
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
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