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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
13.9
18.4
写入速度,GB/s
8.6
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3030
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Kingston 9905700-047.A00G 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Mushkin 994083 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
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